国内存储大厂官宣新进展！长鑫存储第五代技术平台进入量产阶段

深圳商报·读创客户端首席记者 王海荣

9月20日，在世界制造业大会期间，长鑫存储正式对外宣布，其第五代DRAM技术平台（下称“G5平台”）已实现量产，并同时展示了依托该平台研发的大容量LPDDR5X新产品。

根据长鑫存储披露的消息，G5平台在多项关键工艺指标上取得了行业领先的技术成果。借助创新的四重曝光技术，内存阵列有源区半间距被缩小至11.95纳米，已逼近全球最先进的内存量产平台制程水平。通过改进工艺流程并引入新型材料，存储电容深宽比达到45:1。此外，该公司还开发了适用于DRAM工艺的高介电常数金属栅（HKMG）工艺，使G5平台核心功能区高度成功压缩至6762纳米。

据相关介绍，在研发过程中，长鑫存储基于原有工艺模块，构建了独有的数字孪生系统，覆盖设计、开发、制造、维护等产品研发全生命周期。在这一虚拟研发线中，团队搭建了先进DRAM工艺模型，从而加快了研发进度。与此同时，该公司还在界面工程、鞍形鳍式结构、低k间隔层位线等核心工艺方面取得突破。

（图片来源于长鑫存储）

在本届大会上，长鑫存储还同步展出了两款基于G5平台打造的LPDDR5X量产产品，单颗容量均为24Gb，较上一代同类型产品提升50%，可满足中高端智能手机、便携式消费电子等多种应用场景的需求，目前两款产品均已进入规模量产阶段。

长鑫存储方面表示，未来将继续围绕全球市场需求推动技术升级，推出性能更强、可靠性更高的存储产品，为全球数字产业的发展提供稳固的底层存储支撑。

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